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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1296 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | 2SK1296 |
2SK1296
4
50
100
0
Case Temperature T
C
(°C)
150
50
C
Power vs. Temperature Derating
100
150
Maximum Safe Operation Area
D
D
100
s
C
=25C
Ta = 25°C
10
μ
s
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
30
10
3
1.0
0.3
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
500
100
50
10
5
0.1
200
20
2
1.0
0.5
100
Typical Output Characteristics
6
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
8
4
2
10
D
D
0
10
20
30
40
50
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
15 V
5 V
4 V
3 V
3.5 V
10 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
4
2
1
0
5
10
20
30
40
50
D
D
T
C
= 25°C
75°C
V
= 10 V
Pulse Test
–25°C
Drain to Source Saturation Voltage
vs. Gate to Source Voltage
6
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
8
4
2
0
10
0.8
1.2
1.6
2.0
0.4
D
V
D
(
Pulse Test
I
D
= 50 A
20 A
10 A
20
Drain Current I
D
(A)
50
10
5
200
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
2
0.01
0.005
100
Static Drain to Source on State
Resistance vs. Drain Current
S
R
D
(
)
V
GS
= 4 V
10 V
Pulse Test
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1297 | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 2SK1298 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299 | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299L | Silicon N-Channel MOS FET |
| 2SK1299S | Silicon N-Channel MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1297 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK1298 | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-3PFM Bulk |
| 2SK1298-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon N Channel MOS FET |
| 2SK1299 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel MOS FET |
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