參數(shù)資料
型號: 2SK1301
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù): 4/9頁
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代理商: 2SK1301
2SK1301
4
50
100
0
Case Temperature T
C
(°C)
150
20
C
Power vs. Temperature Derating
40
60
Maximum Safe Operation Area
D
D
300
100
30
3
100
10
0.3
1
30
0.1
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
10
1000
3
1
100
μ
Ta = 25°C
10
μ
s
DCOpeaion(T
C
=25C
Operation in this area
is limited by R
DS (on)
Typical Output Characteristics
Drain to Source Voltage V
DS
(V)
D
D
20
16
12
8
4
20
16
12
8
4
0
V
GS
= 2.5 V
Pulse Test
7 V
3 V
3.5 V
10 V
2.5 V
4 V
Typical Transfer Characteristics
3
Gate to Source Voltage V
GS
(V)
4
2
1
0
5
4
8
12
16
20
D
D
V
DS
= 10 V
Pulse Test
–25°C
T
C
= 25°C
75°C
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PDF描述
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參數(shù)描述
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