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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1318 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching |
| 中文描述： | 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 2/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 63K |
| 代理商： | 2SK1318 |
2SK1318
2
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25°C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D (peak)
*
1
I
DR
120
V
Gate to source voltage
±20
V
Drain current
20
A
Drain peak current
80
A
Body to drain diode reverse drain
current
20
A
Channel dissipation
Pch*
2
35
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes: 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1%
2. Value at Tc = 25°C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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