參數(shù)資料
型號： 2SK1371
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 450V五（巴西）直| 20A條（?。﹟至3
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 39K
代理商： 2SK1371
2SK1313(L)(S), 2SK1314(L)(S)
Silicon N-Channel MOS FET
ADE-208-1266 (Z)
1st. Edition
Mar. 2001
Application
High speed power switching
Features
Low on-resistance
High speed switching
Low drive current
No secondary breakdown
Suitable for switching regulator and DC-DC converter
Outline
3
2
1
4
3
2
1
4
LDPAK
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1372 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-3
2SK1375 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK1505MR MOSFET
2SK1507-01M Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數(shù)描述
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2SK1374G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK1375 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:
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