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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK1375-TR |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 1 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | 2SK1375-TR |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK1068-12-TR | 1 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
| 2STD1665-1 | 6 A, 65 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-251 |
| 2STF2280 | 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STF2360 | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
| 2STN2360 | 3 A, 60 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK1378 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK1378 |
| 2SK1380 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 60A I(D) | TO-264AA |
| 2SK1381 | 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK1381(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:N-CH,100V,50A, 0.031 OHM - Rail/Tube 制造商:Toshiba 功能描述:Nch 100V 50A 0.032@10V TO3P(N) Bulk 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 100V 50A TO-3PN 制造商:Toshiba 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN |
| 2SK1381_04 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (L2−pai-MOSIII) Relay Drive, Motor Drive and DC−DC Converter |
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