參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK1858
英文描述： TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-251VAR
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 3A條（?。﹟對(duì)251VAR
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 32K
代理商： 2SK1858
2SK1831, 2SK1832
4
75
50
25
50
100
150
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Channel
Dissipation
Pch
(W)
0
Drain
Current
I
(A)
Drain to Source Voltage V
(V)
DS
D
1 ms
PW
=
10
ms
(1
shot)
100
s
10
s
Operation in this
area is limited
by R
(on)
DS
Maximum Safe Operation Area
50
30
10
0.3
0.05
1
300
1000
Ta = 25°C
DC
Operation
(Tc
=
25°C)
3
1
0.1
100
30
10
3
K1831
K1832
PW
T
P
DM
θch – c(t) = s(t) ch – c
ch – c = 2.50°C/W, Tc = 25°C
θ
γθ
.
PW
D =
T
Normalized
Transient
Thermal
Impedance
s
(t)
γ
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
1 Shot
Pulse
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Pulse Width PW (S)
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