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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2117 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET) |
| 中文描述： | 硅N溝道場效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/5頁 |
| 文件大小： | 33K |
| 代理商： | 2SK2117 |
2SK2116, 2SK2117
2
Ordering Information
Type No.
V
DSS
450 V
2SK2116
2SK2117
500 V
Absolute Maximum Ratings
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Ratings
Unit
Drain to source voltage
2SK2116
V
DSS
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)
*
I
DR
Pch*
450
V
2SK2117
500
Gate to source voltage
±
30
7
V
Drain current
A
Drain peak current
1
28
A
Body to drain diode reverse drain current
7
A
Channel dissipation
2
35
W
Channel temperature
Tch
150
°
C
°
C
Storage temperature
Notes 1. PW
≤
10
μ
s, duty cycle
≤
1 %
2. Value at Tc = 25
°
C
Tstg
–55 to +150
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PDF描述 |
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