參數(shù)資料
型號(hào): 2SK214
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/6頁(yè)
文件大小: 33K
代理商: 2SK214
2SK213, 2SK214, 2SK215, 2SK216
4
T
C
–°
2
7
Typical Transfer Characteristics
1.2
Gate Source Voltage V
GS
(V)
1.6
0.8
0.4
0
2.0
20
40
60
80
100
D
D
V
DS
= 20 V
Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
T
C
= 25°C
V
DS
= 20 V
50
Drain Current I
D
(mA)
100
10
5
2
200
10
20
50
100
200
F
y
5
20
100
10 k
100 k
Frequency f (H
Z
)
1.0
10
F
y
Forward Transfer Admittance
vs. Frequency
1 M
500
50 M
0.05
5 k
0.1
10 M
T
C
= 25°C
V
DS
= 20 V
I
D
= 10 mA
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