參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2203
廠(chǎng)商: Hitachi,Ltd.
英文描述: Silicon N-Channel MOS FET
中文描述: 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù): 4/10頁(yè)
文件大小: 50K
代理商: 2SK2203
2SK2203
4
80
60
40
20
0
C
50
100
150
200
Case Temperature Tc (°C)
Power vs. Temperature Derating
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
1000
300
100
30
10
3
1
1
10
100
2
5
20
50
100μs
10 μs
PW=10ms(1sho)
DCOpeaion(Tc=25°C
Ta = 25 °C
Operation in
this area is
limited by R
DS(on)
Maximum Safe Operation Area
100
80
60
40
20
0
2
4
6
8
10
Drain to Source Voltage V (V)
D
D
V = 2.5 V
Pulse Test
3.5 V
3 V
10 V
6 V
4 V
Typical Output Characteristics
50
40
30
20
10
0
1
2
3
4
5
Gate to Source Voltage V (V)
D
D
–25
°
C
Tc = 25
°
C
75
°
C
V = 10 V
Pulse Test
Typical Transfer Characteristics
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PDF描述
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參數(shù)描述
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