參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2221
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
中文描述： 硅N溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管（不適用溝道MOSFET的）
文件頁數(shù)： 3/7頁
文件大小： 43K
代理商： 2SK2221
2SK2220, 2SK2221
3
Electrical Characteristics
(Ta = 25
°
C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Drain to source
breakdown
voltage
2SK2220
V
(BR)DSX
180
—
—
V
I
D
= 10 mA, V
GS
= –10 V
2SK2221
200
—
—
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±
20
—
—
V
I
G
=
±
100
μ
A, V
DS
= 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
0.15
—
1.45
V
I
D
= 100 mA
V
DS
= 10 V
I
D
= 8 A, V
GD
= 0 V*
Drain to source saturation
voltage
V
DS(sat)
—
—
12
V
1
Forward transfer admittance
|y
fs
|
0.7
1.0
1.4
S
I
D
= 3 A
V
DS
= 10 V*
V
GS
= –5 V
V
= 10 V
f = 1 MHz
1
Input capacitance
Ciss
—
600
—
pF
Output capacitance
Coss
—
800
—
pF
Reverse transfer capacitance
Crss
—
8
—
pF
Turn-on time
t
on
t
off
—
250
—
ns
V
DD
= 30 V
I
D
= 4 A
Turn-off time
Note
—
90
—
ns
1. Pulse Test
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2225 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2247 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
2SK2329L Silicon N-Channel MOS FET
2SK2373 Silicon N-Channel MOS FET(N溝道MOSFET)
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參數(shù)描述
2SK2221-E 功能描述:MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2222 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-247VAR
2SK2223-01R 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
2SK2224-01R 制造商:FUJI 制造商全稱:Fuji Electric 功能描述:N-channel MOS-FET
2SK2225 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 1.5KV 2A 3PIN TO-3PFM - Rail/Tube
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