參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2379-RA
元件分類: JFETs
英文描述: 20 A, 200 V, 0.095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝: TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù): 1/1頁(yè)
文件大?。?/td> 80K
代理商: 2SK2379-RA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK1434-YB 60 A, 100 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-218
2SJ320-YA 4 A, 250 V, 1.3 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
2SK2378-RB 13 A, 200 V, 0.21 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
2SK1923-RA 4 A, 600 V, 2.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
2SK1430-RB 10 A, 100 V, 0.16 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2380 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Junction FET
2SK23800QL 功能描述:JFET LOW FREQ.IMPEDANCE CONVRT RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點(diǎn)場(chǎng)效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK2381 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 200V 5A 3PIN TO-220(NIS) - Rail/Tube
2SK2381(F) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220NIS
2SK2381(F,T) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 200V 5A Rdson 0.8 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube