參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK2590
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： 7 A, 200 V, 0.45 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/8頁(yè)
文件大?。?/td> 45K
代理商： 2SK2590
2SK2590
3
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)
Item
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
Drain to source breakdown
voltage
V
(BR)DSS
200
—
V
I
D = 10 mA, VGS = 0
Gate to source breakdown
voltage
V
(BR)GSS
±20
—
V
I
G = ±100 A, VDS = 0
Gate to source leak current
I
GSS
—
±10
A
V
GS = ±16 V, VDS = 0
Zero gate voltage drain current I
DSS
—
250
A
V
DS =160 V, VGS = 0
Gate to source cutoff voltage
V
GS(off)
2.0
—
4.0
V
I
D = 1 mA, VDS = 10 V
Static drain to source on state
resistance
R
DS(on)
—
0.33
0.45
I
D = 4 A
V
GS = 10 V*
1
Forward transfer admittance
|y
fs|
3.0
4.5
—
S
I
D = 4 A
V
DS = 10 V*
1
Input capacitance
Ciss
—
700
—
pF
V
DS = 10 V
Output capacitance
Coss
—
260
—
pF
V
GS = 0
Reverse transfer capacitance
Crss
—
45
—
pF
f = 1 MHz
Turn-on delay time
t
d(on)
—
20
—
ns
I
D = 4 A
Rise time
t
r
—
45
—
ns
V
GS = 10 V
Turn-off delay time
t
d(off)
—
50
—
ns
R
L = 7.5
Fall time
t
f
—35—ns
Body to drain diode forward
voltage
V
DF
—
1.1
—
V
I
F = 7 A, VGS = 0
Body to drain diode reverse
recovery time
t
rr
—
150
—
ns
I
F = 7 A, VGS = 0,
di
F / dt = 100 A / s
Note
1. Pulse Test
See characteristics curves of 2SK1957.
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