參數(shù)資料
型號: 2SK2605
廠商: Toshiba Corporation
英文描述: Aluminum Electrolytic Radial Lead Low Leakage Capacitor; Capacitance: 470uF; Voltage: 16V; Case Size: 10x20 mm; Packaging: Bulk
中文描述: N通道馬鞍山型高速,高壓開關(guān),開關(guān)穩(wěn)壓器應(yīng)用程序)
文件頁數(shù): 4/5頁
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代理商: 2SK2605
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK2606(F) 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 800V 8A Rdson 1.2 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
2SK2607 功能描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件