參數(shù)資料
型號： 2SK2618LS
廠商： Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述： N- Channel MOS Silicon FET Very High-Speed Switching Applications
中文描述： N溝道場效應(yīng)管馬鞍山硅超高速開關(guān)應(yīng)用
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大小： 9K
代理商： 2SK2618LS
960329TM2fXHD
2SK2618LS
N- Channel MOS Silicon FET
Very High-Speed Switching Applications
Absolute Maximum Ratings / Ta=25
°
C
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current (DC)
Drain Current (Pulse)
Allowable power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics / Ta=25
°
C
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain to Source
on State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Switching Time Test Circuit
TENTATIVE
Case Outline
TO-220FI(LS)
Features and Applications
Low ON-state resistance.
Low Qg
SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Business Headquarters
TOKYO OFFICE Ttokyo Bldg., 1-10,1 Chome, Ueno, taito-ku, 110 JAPAN
50
P.G
2SK2618LS
S
G
D
VOUT
VDD=200V
ID=3A
RL=66.7
PW=1
μ
S
D.C.
≤
0.5%
VGS=15V
RGS
Specifications and information herein are subject to change without notice.
3
7
1
1
3
10.0
0.9
1.2
1
0.75
4.5
2.8
0
0.7
2
2.55
2.55
1
2
3
φ
3.2
500
±
30
5
20
30
150
--55 to +150
V
V
A
A
W
°
C
°
C
min typ max unit
500
3.5
1.5
V
mA
nA
V
S
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
V
(Tc=25
°
C)
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
Tch
Tstg
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)
Ciss
Coss
Crss
Qg
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
ID=1mA , VGS=0
VDS=500V , VGS=0
VGS=
±
30V , VDS=0
VDS=10V , ID=1mA
VDS=10V , ID=3A
ID=3A , VGS=15V
VDS=20V , f=1MHz
VDS=20V , f=1MHz
VDS=20V , f=1MHz
VDS=200V , ID=5A
GS=10V
See Specified Test
Circuit
IS =5A , VGS = 0
unit
3.0
0.95
700
250
120
20
20
20
50
25
1.0
±
100
5.5
1.25
1.2
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-oFF Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2638-01MR TRANS PREBIASED PNP 200MW SOT-23
2SK2639-01 N-channel MOS-FET
2SK2640 N-channel MOS-FET
2SK2640-01MR N-channel MOS-FET
2SK2641-01 N-channel MOS-FET
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參數(shù)描述
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2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SK2628ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI
2SK2631-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
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