參數(shù)資料
型號(hào): 2SK2625
廠(chǎng)商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: Ultrahigh-Speed Switching Applications
中文描述: 超高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用
文件頁(yè)數(shù): 2/4頁(yè)
文件大?。?/td> 27K
代理商: 2SK2625
2SK2625LS
No.7081-2/4
Continued from preceding page.
Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Total Gate Charge
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
Ciss
Coss
Crss
Qg
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=20V, f=1MHz
VDS=200V, ID=5A, VGS=10V
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
IS=5A, VGS=0
700
220
110
20
20
20
50
25
0.88
pF
pF
pF
nC
ns
ns
ns
ns
V
1.2
Switching Time Test Circuit
0
ID -- VDS
IT03649
IT03651
IT03650
IT03652
0
6
3
4
5
2
1
1
2
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
4
3
5
6
7
8
9
10
1.0
RDS(on) -- VGS
4
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
6
8
10
12
14
16
18
20
0
ID -- VGS
0
8
6
7
5
4
3
2
1
5
10
15
20
0.5
RDS(on) -- Tc
--50
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
--25
0
25
50
75
100
125
150
7V
8V
10V
15V
VGS=6V
VDS=10V
25
°
C
75
°
C
Tc= --25
°
C
T5
°
C
Tc=25
°
C
ID=1A
2.5A
5A
-
°
C
2
°
C
D
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
D
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
Case Temperature, Tc --
°
C
ID25A VGS10V
ID25A VGS15V
PW=1
μ
s
D.C.
0.5%
P.G
RGS=50
G
S
ID=2.5A
RL=80.0
VDD=200V
VOUT
VGS=15V
D
2SK2625LS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK2625LS Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2627 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2631 Ultrahigh-Speed Switching Applications
2SK2684 Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET)
2SK2684L Silicon N Channel DV-L MOS FET(N溝道 DV-L MOSFET)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2628ALS 制造商:SANYO 功能描述:MOSFET,N CH,600V,7A,TO-220FI Bulk 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFETN CH600V7ATO-220FI
2SK2631-TL-E 制造商:SANYO 功能描述:Nch 800V 1A 10@10V TP-FA Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 800V 1A TO251 制造商:Sanyo 功能描述:0
2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2638-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述: