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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK2731T146 |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 200 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 封裝： | SMT3, SC-59, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | 2SK2731T146 |
2SK2731
Transistors
3/3
CHANNEL TEMPERATURE : Tch
(
°C)
1
1.5
2.5
2
3
0.5
0
50 25
0
25
50
75
100 125 150
VGS=10V
Pulsed
ID =200mA
100mA
ON-ST
A
TE
RESIST
ANCE
:
R
DS(on)
(
)
ST
A
TIC
DRAIN-SOURCE
Fig.7 Static Drain-Source On-State
Resistance vs. Channel Temperature
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
0.1
1
DRAIN CURRENT : ID (A)
VDS=10V
Pulsed
Ta=
25
°C
25
°C
75
°C
125
°C
FOR
W
ARD
TRANSFER
ADMITT
ANCE
:
Y
fs
(S)
Fig.8 Forward Transfer Admittance
vs. Drain Current
1m
2m
5m
10m
20m
50m
100m
200m
500m
0
0.5
1.0
1.5
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
VGS=10V
Pulsed
Ta=125
°C
75
°C
25
°C
25
°C
Fig.9 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (
Ι )
0
0.5
1.0
1.5
REVERSE
DRAIN
CURRENT
:
I
DR
(A)
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)
0.01
0.1
0.5
0.05
1
Ta=25
°C
Pulsed
VGS=10V
0V
Fig.10 Reverse Drain Current vs.
Source-Drain Voltage (
ΙΙ)
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)
0.1
1
10
100
Ciss
Coss
Crss
1
100
10
1000
CAP
A
CIT
ANCE
:
C
(
pF)
Ta=25
°C
VGS=0V
f=1MHz
Pulsed
Fig.11 Typical Capacitance vs.
Drain-Source Voltage
1000
100
0.001
0.01
0.1
0.5
SWITCHING
TIME
:
t
(
ns)
DRAIN CURRENT : ID (A)
Ta=25
°C
VDD 15V
VGS=10V
RG=10
Pulsed
tf
tr
td(off)
td(on)
Fig.12 Switching Characteristics
(See Figure. 13 and 14 for
measurement circuit)
Measurement circuit
Fig.13 Switching Time Test Circuit
V
GS
R
G
V
DS
D.U.T.
I
D
R
L
V
DD
90%
50%
10%
90%
10%
50%
Pulse Width
10%
V
GS
V
DS
90%
tf
t
off
t
d(off)
t
r
ton
td(on)
Fig.14 Switching Time Waveforms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK2735(L) | 0.05 ohm, POWER, FET |
| 2SK2735(S) | 0.05 ohm, POWER, FET |
| 2SK2735L-E | 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2735STL-E | 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK2735L-E | 20 A, 30 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK2733(F) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述: 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 900V 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
| 2SK2735L(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2736(E) | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| 2SK2738(E) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape |
| 2SK2740 | 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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