參數(shù)資料
型號： 2SK2735(L)
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 490K
代理商： 2SK2735(L)
Capacitance
1
10
100
1000
10000
0
20
40
60
80
100
2SK2798
Tc=25
°
C
TYP
Ciss
Coss
Crss
Drain-Source Voltage V
DS
[V]
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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2SK2714 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
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參數(shù)描述
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2SK2736(E) 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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2SK2744 功能描述:MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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