參數(shù)資料
型號： 2SK2912S
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
中文描述： 硅?通道場效應(yīng)晶體管高速電源開關(guān)
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大?。?/td> 53K
代理商： 2SK2912S
2SK2912(L), 2SK2912(S)
5
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0
4
8
12
16
20
1
10
100
2
50
0.5
0.2
0.1
0.02
0.05
0.01
0.005
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
–40
0
40
80
120
160
0
1
2
5
10
20
50
100
100
50
10
20
2
5
1
20
5
I = 20 A
D
V = 4 V
10 V
10 A
10, 20 A
I = 50 A
10 A
20 A
V = 4 V
10 V
50 A
Gate to Source Voltage V (V)
Drain to Source Saturation Voltage vs.
Gate to Source Voltage
V
D
D
Drain Current I (A)
D
R
D
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Drain Current
Case Temperature Tc (
°
C)
R
D
S
Static Drain to Source on State Resistance
vs. Temperature
Drain Current I (A)
F
f
Forward Transfer Admittance vs.
Drain Current
Pulse Test
Pulse Test
Pulse Test
25
°
C
Tc = –25
°
C
75
°
C
V = 10 V
Pulse Test
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2SK2915 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK2915(Q) 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Bulk
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