型號(hào): | 2SK3009-4000 |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 8 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
封裝: | STO-220, 3 PIN |
文件頁數(shù): | 1/1頁 |
文件大小: | 74K |
代理商: | 2SK3009-4000 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK2475-4100 | 12 A, 500 V, 0.7 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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2SK2182-4000 | 3 A, 500 V, 2.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2184-4000 | 5 A, 500 V, 1.5 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK2188-4000 | 10 A, 500 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK301 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR |
2SK3012 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:VX-2 Series Power MOSFET(600V 12A) |
2SK3013 | 制造商:SHINDENGEN 制造商全稱:Shindengen Electric Mfg.Co.Ltd 功能描述:VX-2 Series Power MOSFET(600V 16A) |
2SK3017 | 功能描述:MOSFET N-CH 900V 8.5A TO-3PN RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
2SK3017(F) | 功能描述:MOSFET MOSFET N-Ch 900V 8.5A Rdson 1.25 Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |