參數(shù)資料
型號： 2SK3019TL
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 100mA的一（d）|的SOT - 416
文件頁數(shù)： 1/10頁
文件大?。?/td> 54K
代理商： 2SK3019TL
2SK3070(L),2SK3070(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-684G (Z)
8th. Edition
February 1999
Features
Low on-resistance
R
DS(on) = 4.5 m typ.
Low drive current
4 V gate drive device can be driven from 5 V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關PDF資料
PDF描述
2SK3020TP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251VAR
2SK3020TP-FA Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3021TP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-251VAR
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2SK3022(TENTATIVE) 2SK3022 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3019-TP 功能描述:N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG 制造商:micro commercial co 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:100mA（Ta） 驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 100μA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:13pF @ 5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:150mW（Ta） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8 歐姆 @ 10mA，4V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TA） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:SOT-523 封裝/外殼:SOT-523 標準包裝:1
2SK3019TT1 制造商:WILLAS 制造商全稱:WILLAS 功能描述:SOT-523 Plastic-Enc apsulate MOSFETS
2SK301-QR 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK301QRS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
2SK301-QRS 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:TRANSISTOR
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