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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3031(TENTATIVE) |
| 英文描述： | 2SK3031 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
| 中文描述： | 2SK3031（暫定） - N溝道功率的F -場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 54K |
| 代理商： | 2SK3031(TENTATIVE) |
Datasheet Title
7
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Pulse Test
V
= 0, –5 V
GS
5 V
10 V
100
80
60
40
20
D. U. T
Rg
I
Monitor
AP
V
Monitor
DS
VDD
50
Vin
15 V
0
I D
VDS
I AP
V(BR)DSS
L
VDD
E
=
L I
2
1
V
– V
AR
AP
DSS
DD
2
500
400
300
200
100
25
50
75
100
125
150
0
I
= 50 A
V
= 25 V
duty < 0.1 %
Rg > 50
AP
DD
Channel Temperature Tch (
°C)
Repetitive
Avalanche
Energy
E
(mJ)
AR
Maximun Avalanche Energy vs.
Channel Temperature Derating
Source to Drain Voltage
V
(V)
SD
Reverse
Drain
Current
I
(A)
DR
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
Avalanche Test Circuit
Avalanche Waveform
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK303-2 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3032(TENTATIVE) | 2SK3032 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3033(TENTATIVE) | 2SK3033 (Tentative) - Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK303-4 | Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset |
| 2SK3034(TENTATIVE) | 2SK3034 (Tentative) - Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK303-2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 600UA I(DSS) | TO-236AB |
| 2SK3032(TENTATIVE) | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:2SK3032 (Tentative) - N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK3033 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power F-MOS FET |
| 2SK303-3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.2MA I(DSS) | TO-236AB |
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