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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3111-S |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開關(guān)功率場效應(yīng)晶體管 工業(yè)級 |
| 文件頁數(shù)： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 75K |
| 代理商： | 2SK3111-S |
Data Sheet D13334EJ1V0DS00
4
2SK3111
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
50
150
R
D
-
200
0
0
100
50
T
ch
- Channel Temperature -
C
300
100
V
GS
= 10 V
Pulsed
350
250
150
50
I
D
= 10 A
I
D
= 20 A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
V
SD
- Source to Drain Voltage - V
I
S
0.0
0.1
1
10
0.5
1.0
1.5
100
V
GS
= 10 V
0 V
Pulsed
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
C
i
,
o
,
r
0.1
100
1000
1
10
100
V
GS
=
0
V
f
=
1
MHz
C
iss
C
oss
C
rss
10
10000
1000
SWITCHING CHARACTERISTICS
I
D
- Drain Current - A
t
d
,
r
,
d
,
f
10.1
10
100
1000
1
10
100
V
DD
=
100 V
V
GS
=
10 V
R
G
=
10
t
d(off)
t
d(on)
t
r
t
f
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE CURRENT
I
F
- Diode Current - A
t
r
0.1
10
1
10
100
100
di/dt
=
50
A/
μ
s
V
GS
=
0
V
1
1000
V
G
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
200
Q
G
- Gate Charge - nC
V
D
0
10
20
30
40
50
60
50
100
150
2
4
6
8
0
10
12
14
16
0
V
DD
= 160 V
100 V
40 V
V
GS
V
DS
I
D
= 20 A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3112-S | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3112-ZJ | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3112 | SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3113B(1)-S27-AY | MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3112-S | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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