參數(shù)資料
型號： 2SK3274(L)
文件頁數(shù)： 1/7頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： 2SK3274(L)
2SK3210(L), 2SK3210(S)
Silicon N Channel MOS FET
High Speed Power Switching
ADE-208-760A (Z)
Target Specification 2nd. Edition
Mar. 2001
Features
Low on-resistance
R
DS = 40m typ.
High speed switching
4V gate drive device can be driven from 5V source
Outline
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Drain
1
2
3
4
1
2
3
4
LDPAK
G
D
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3274(S)
2SK3418-E 85 A, 60 V, 0.009 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3451-01 High speed switching Low on-resistance No secondary breadown Low driving power Avalanche-proof
2SK3461(L)
2SK3461(S)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3274S 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Slilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
2SK3277 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:パワーデバイス － パワーMOS FET
2SK327700L 功能描述:MOSFET N-CH 200V 2.5A UG-1 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3278 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC/DC Converter Applications
2SK3279 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:DC / DC ?R???o?[?^?p
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*