參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3316
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
中文描述： 東芝場(chǎng)效應(yīng)晶體管硅?頻道馬鞍山類型
文件頁(yè)數(shù)： 2/6頁(yè)
文件大?。?/td> 261K
代理商： 2SK3316
2SK3316
2002-07-03
2
Electrical Characteristics
(Ta = 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GSS
V
GS
= ±25 V
,
V
DS
= 0 V
—
—
±10
μA
Gate
source breakdown voltage
V
(BR) GSS
I
G
= ±100 μA
,
V
DS
= 0 V
±30
—
—
V
Drain cut
off current
I
DSS
V
DS
= 500 V
,
V
GS
= 0 V
—
—
100
μA
Drain
source breakdown voltage
V
(BR) DSS
I
D
= 10 mA
,
V
GS
= 0 V
500
—
—
V
Gate threshold voltage
V
th
V
DS
= 10 V,
I
D
= 1 mA
2.0
—
4.0
V
Drain
source ON resistance
R
DS (ON)
V
GS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
—
1.6
1.8
Forward transfer admittance
|Y
fs
|
V
DS
= 10 V,
I
D
= 2.5 A
2.5
3.8
—
S
Input capacitance
C
iss
—
780
—
Reverse transfer capacitance
C
rss
—
60
—
Output capacitance
C
oss
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
—
200
—
pF
Rise time
tr
—
12
—
Turn
on time
t
on
—
25
—
Fall time
t
f
—
15
—
Switching time
Turn
off time
t
off
—
60
—
ns
Total gate charge (Gate
source
plus gate
drain)
Q
g
—
17
—
Gate
source charge
Q
gs
—
11
—
Gate
drain (“miller”) charge
Q
gd
V
DD
≈
400 V, V
GS
= 10 V, I
D
= 5 A
—
6
—
nC
Source
Drain Ratings and Characteristics
(Ta =
25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Continuous drain reverse current
(Note 1)
I
DR
—
—
—
5
A
Pulse drain reverse current
(Note 1)
I
DRP
—
—
—
20
A
Forward voltage (diode)
V
DSF
I
DR
= 5 A, V
GS
= 0 V
—
—
1.7
V
Reverse recovery time
t
rr
—
60
—
ns
Reverse recovery charge
Q
rr
I
DR
= 5 A, V
GS
= 0 V, dI
DR
/ dt
=
100 A / μs
—
0.1
—
μC
Marking
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PDF描述
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2SK3321 N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE APPLICATIONS)
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2SK331A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 300UA I(DSS) | SO
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