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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3341-01 |
| 廠(chǎng)商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類(lèi)： | JFETs |
| 英文描述： | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
| 中文描述： | 10 A, 900 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247 |
| 封裝： | TO-247, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 105K |
| 代理商： | 2SK3341-01 |
2
Characteristics
2SK3341-01
FUJI POWER MOSFET
0
25
50
75
100
125
150
0
50
100
150
200
250
300
350
400
Allowable Power Dissipation
PD=f(Tc)
P
Tc [
°
C]
10
1
10
2
10
3
10
-1
10
0
10
1
10
2
100ms
10ms
1ms
100
μ
s
10
μ
s
Safe operating area
ID=f(VDS):Single Pulse,Tc=25°C
t=
1
μ
s
D.C.
I
VDS [V]
0
2
4
6
8
10
12
VDS [V]
14
16
18
20
22
24
26
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
20V
10V
6.5V
6.0V
5.5V
5.0V
I
Typical Output Characteristics
ID=f(VDS):80μs pulse test,Tch=25°C
VGS=4.5V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.01
0.1
1
10
I
VGS[V]
Typical Transfer Characteristic
ID=f(VGS):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0.1
1
10
0.1
1
10
g
ID [A]
Typical Transconductance
gfs=f(ID):80μs pulse test,VDS=25V,Tch=25°C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
6.5V
R
ID [A]
Typical Drain-Source on-state Resistance
RDS(on)=f(ID):80μs pulse test,Tch=25°C
10V
20V
7V
6.0V
5.5V
5.0V
VGS=
4.5V
t
T
D=
t
T
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3342 | CONTACT |
| 2SK334 | Silicon N-Channel Junction-Type Field Effect TR For CONDENSER MICROPHONES |
| 2SK3362 | POWER MOSFET |
| 2SK3362-01 | MOSFETs |
| 2SK3363-01 | N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK3341-01SC | 制造商:Fuji Electric 功能描述: |
| 2SK3342 | 制造商:TOSHIBA 制造商全稱(chēng):Toshiba Semiconductor 功能描述:TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV) |
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| 2SK3342(TE16L1,NQ) | 制造商:Toshiba America Electronic Components 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD |
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