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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3355-Z |
| 廠(chǎng)商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/8頁(yè) |
| 文件大小： | 80K |
| 代理商： | 2SK3355-Z |
Data Sheet D14132EJ2V0DS00
7
2SK3355
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0
3.6±0.2
φ
4
3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
5
6
1
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
(10)
4
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1
3) TO-263 (MP-25ZJ)
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
5
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
(08R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
4) TO-220SMD(MP-25Z)
Note
(10)
1.4±0.2
1
2.54 TYP.
2.54 TYP.
8
1
2
3
3
1
4
2
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
(05R
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1.0±0.3
Note
This Package is produced only in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK3355-ZJ | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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參數(shù)描述 |
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| 2SK3355-ZJ | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3356 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3357 | 制造商:NEC 制造商全稱(chēng):NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
| 2SK3357-A | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 60V 75A 5.8m@10V TO3P Cut Tape 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 60V 75A 5.8m@10V TO3P Bulk 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Nch MOSFET,60V,75A,4.6m ohm,TO-3P |
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