參數(shù)資料
型號： 2SK3403
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type
中文描述： 東芝場效應晶體管硅?頻道馬鞍山類型
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： 2SK3403
2SK3403
2002-09-02
5
D
Channel temperature (initial) Tch (°C)
A
r
th
– t
w
Pulse width t
w
(S)
N
r
t
/
t
15
V
15
V
Test circuit
Wave form
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
25
V
DD
90 V, L 3.46 mH
VDD
BVDSS
BVDSS
2
I
L
2
1
Ε
AS
Drain-source voltage V
DS
(V)
E
AS
– T
ch
Safe operating area
100
200
300
50
100
0
25
400
75
150
125
0.1
10
100
1 m
10 m
100 m
1
10
T
PDM
t
Duty t/T
Rth (ch-c) 1.25°C/W
Duty 0.5
0.2
0.1
Single pulse
0.05
0.02
0.01
0.01
0.03
0.05
1
0.3
0.5
3
*
Single nonrepetitive pulse
Tc 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
DC operation
Tc 25°C
100 s
*
1 ms
*
VDSS max
0.05
0.1
1
10
100
0.03
0.5
0.3
5
3
50
30
30
10
100
1000
300
3
ID max (pulse)
*
ID max
(continuous)
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