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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3430-Z |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 元件分類(lèi)： | MOSFETs |
| 英文描述： | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
| 中文描述： | N溝道 開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 工業(yè)級(jí) |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | 2SK3430-Z |
Preliminary Data Sheet D14599EJ1V0DS00
2
2SK3430
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25 °C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Drain to Source On-state Resistance
R
DS(on)1
V
GS
= 10
V, I
D
= 40 A
5.9
7.3
m
R
DS(on)2
V
GS
= 4
V, I
D
= 40
A
10.5
15
m
Gate to Source Cut-off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 10
V, I
D
= 1
mA
1.5
2.0
2.5
V
Forward Transfer Admittance
| y
fs
|
V
DS
= 10
V, I
D
= 40
A
20
40
S
Drain Leakage Current
I
DSS
V
DS
= 40 V, V
GS
= 0
V
10
μ
A
Gate to Source Leakage Current
I
GSS
V
GS
= ±20
V, V
DS
= 0
V
±
10
μ
A
Input Capacitance
C
iss
V
DS
= 10
V, V
GS
= 0
V, f = 1
MHz
2800
pF
Output Capacitance
C
oss
730
pF
Reverse Transfer Capacitance
C
rss
320
pF
Turn-on Delay Time
t
d(on)
I
D
= 40
A, V
GS(on)
= 10 V, V
DD
= 20 V,
110
ns
Rise Time
t
r
R
G
= 10
1800
ns
Turn-off Delay Time
t
d(off)
170
ns
Fall Time
t
f
350
ns
Total Gate Charge
Q
G
I
D
= 80
A , V
DD
= 32
V, V
GS
= 10
V
50
nC
Gate to Source Charge
Q
GS
10
nC
Gate to Drain Charge
Q
GD
14
nC
Body Diode Forward Voltage
V
F(S-D)
I
F
= 80
A, V
GS
= 0
V
1.0
V
Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= 80
A, V
GS
= 0
V,
50
ns
Reverse Recovery Charge
Q
rr
di/dt = 100
A/
μ
s
77
nC
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
V
GS
= 20
→
0
V
PG.
R
G
= 25
50
D.U.T.
L
V
DD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
R
L
V
DD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
R
G
PG.
I
G
= 2 mA
50
D.U.T.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
AS
V
DS
BV
DSS
Starting T
ch
V
GS
0
τ
= 1
μ
s
Duty Cycle
≤
1 %
τ
V
GS
Wave Form
D
Wave Form
V
GS
I
D
10
%
0
0
90
%
90
%
90
%
V
GS(on)
I
D
t
on
t
off
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
10
%
10
%
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
#
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| 2SK3433 | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
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| 2SK3434-S | Switching N-channel power MOS FET industrial use |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3430-Z-E1-AZ | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB 制造商:renesas electronics america 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:7.3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:2800pF @ 10V 功率 - 最大值:1.5W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 |
| 2SK3430-ZJ | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-263AB |
| 2SK3431 | 制造商:KEXIN 制造商全稱(chēng):Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 功能描述:MOS Field Effect Transistor |
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