參數(shù)資料
型號： 2SK3480-Z
元件分類： JFETs
英文描述： 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN
文件頁數(shù)： 10/10頁
文件大?。?/td> 207K
代理商： 2SK3480-Z
Data Sheet D15078EJ1V0DS
7
2SK3480
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1)
TO-220AB(MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
2) TO-262(MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3)
TO-263 (MP-25ZJ)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
2.8±0.2
4) TO-220SMD(MP-25Z)
Note
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TY
P.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3480 50 A, 100 V, 0.036 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3481-AZ 30 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3481-ZJ-AZ 30 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
2SK3481 30 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3481-S 30 A, 100 V, 0.058 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3480-Z-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-220 SMD
2SK3480-ZJ 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3481 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3481-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3481-S 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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