參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3481-ZJ
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開(kāi)關(guān)N溝道功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
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代理商： 2SK3481-ZJ
Data Sheet D15063EJ1V0DS
3
2SK3481
TYPICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25°C)
DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
T
C
- Case Temperature -
C
d
0
40
20
60
100
140
80
120
160
120
100
80
60
40
20
T
C
- Case Temperature -
C
P
T
-
0
80
20
40
60
100
140
120
160
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
50
40
30
20
10
0
FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
I
D
10
1
0.1
100
0.1
1
10
100
T
C
= 25
C
Single Pulse
1000
10m
I
D(pulse)
I
D(DC)
1m
100
μ
s
10
μ
s
DC
Pwe Dsipaion
R
=10V
(a V
GS
PW - Pulse Width - s
TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
r
t
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
10
100
R
th(ch-C)
= 2.23C/W
μ
μ
R
th(ch-A)
= 83.3C/W
T
C
= 25C
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PDF描述
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參數(shù)描述
2SK3481-ZJ-E1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
2SK3482 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3482-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 100V MP-3/TO-251 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門(mén) 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3482-Z 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3482-Z-AZ 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Nch 100V 36A 33m@10V TO252 Bulk 制造商:Renesas 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 36A 3-Pin(2+Tab) TO-252
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