參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3510-S
元件分類： JFETs
英文描述： 83 A, 75 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
封裝： MP-25 FIN CUT, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/8頁
文件大?。?/td> 87K
代理商： 2SK3510-S
Data Sheet D15687EJ1V0DS
7
2SK3510
PACKAGE DRAWINGS (Unit: mm)
1) TO-220AB (MP-25)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1 2 3
10.6 MAX.
10.0 TYP.
3.6±0.2
4
3.0±0.3
1.3±0.2
0.75±0.1
2.54 TYP.
5.9
MIN.
6.0
MAX.
15.5
MAX.
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
φ
2) TO-262 (MP-25 Fin Cut)
4.8 MAX.
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
1
2
3
10 TYP.
1.3±0.2
0.75±0.3
2.54 TYP.
8.5±
0.2
12.7
MIN.
1.3±0.2
0.5±0.2
2.8±0.2
1.0±0
.5
4
3) TO-263 (MP-25ZJ)
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
5.7±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
0.7±0.2
10 TYP.
0.5R
TYP.
0.8R
TY
P.
2.8±0.2
4) TO-220SMD (MP-25Z)
Note
10 TYP.
1.4±0.2
1.0±0.5
2.54 TYP.
8.5±0.2
123
3.0±0.5
1.1±0.4
4
4.8 MAX.
1.3±0.2
0.5±0.2
0.5R
TYP.
0.8R
TYP.
0.75±0.3
2.8±0.2
1.Gate
2.Drain
3.Source
4.Fin (Drain)
Note This package is produced only in Japan.
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Protection
Diode
Gate
Drain
Remark
The diode connected between the gate and source of the transistor
serves as a protector against ESD. When this device actually used,
an additional protection circuit is externally required if a voltage
exceeding the rated voltage may be applied to this device.
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PDF描述
2SK3510-S-AZ 83 A, 75 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SK3510-AZ 83 A, 75 V, 0.0085 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3511-S 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA
2SK3511-Z-AZ 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3511 83 A, 75 V, 0.0125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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2SK3512-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3513-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3514-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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