參數(shù)資料
型號： 2SK351
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 800V的五（巴西）直| 5A條（?。﹟至3
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2SK351
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-8
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0
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2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=60V
t
AV
[sec]
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-6
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0
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-1
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0
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1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Z
o
C
t [sec]
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
A
A
t
T
D=
t
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3513-01L Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3513-01S STD LQg MOSFET
2SK3516-01L Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3516-01S STD MOSFET
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參數(shù)描述
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2SK3511(AZ) 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape
2SK3511-AZ 功能描述:MOSFET N-CH 75V MP-25/TO-220 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3512-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3513-01LSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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