參數(shù)資料
型號： 2SK3535-01
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 113K
代理商： 2SK3535-01
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0
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1
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2
Single Pulse
Maximum Avalanche Current Pulsewidth
I
AV
=f(t
AV
):starting Tch=25°C. Vcc=60V
t
AV
[sec]
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0
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0
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1
Transient Thermal Impedance
Zth(ch-c)=f(t):D=t/T
0
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D=0.5
Z
o
C
t [sec]
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
A
A
t
T
D=
t
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3537-01MR MOSFETs
2SK3549-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK355 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
2SK3550-01R Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3555-01MR STD MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3537-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK353900L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3539G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3541GT2L 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2SK3541T2L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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