參數(shù)資料
型號： 2SK3537-01MR
英文描述： MOSFETs
中文描述： MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 113K
代理商： 2SK3537-01MR
3
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=10A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=300V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
typ.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA
V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1p
10p
100p
1n
10n
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
480V
300V
Vcc= 120V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3549-01 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK355 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-3
2SK3550-01R Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3555-01MR STD MOSFET
2SK356 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK3537-01MRSC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK353900L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3539G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A S-MINI-3P RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3541GT2L 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:SMALL SIGNAL TRANSISTORS
2SK3541T2L 功能描述:MOSFET N-CH 30V .1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*