參數(shù)資料
型號： 2SK3550-01R
英文描述： Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
中文描述： 性病MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 113K
代理商： 2SK3550-01R
3
2SK3502-01MR
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=10A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80μs Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=300V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
R
Tch [
°
C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=5A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
Tch [
°
C]
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
typ.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=1mA
V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
1p
10p
100p
1n
10n
C
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
I
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
10
0
10
1
10
0
10
1
10
2
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t
ID [A]
0
10
20
30
40
50
60
70
80
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
480V
300V
Vcc= 120V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3555-01MR STD MOSFET
2SK356 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK358 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB
2SK3581-01S Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK3587-01MR MOSFETs
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參數(shù)描述
2sk3550-01rsc 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3554-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 250V;RDS(ON) 75 Milliohms;ID +/-37A;TO-220AB;PD 270W;-55
2SK3554-01SC 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3555-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
2SK3557-6-TB-E 功能描述:射頻JFET晶體管 LOW-FREQUENCY AMPLIFIER RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
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