參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3580-01MR
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
中文描述： 15 A, 300 V, 0.28 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
封裝： TO-220F, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 106K
代理商： 2SK3580-01MR
3
2SK3580-01MR
FUJI POWER MOSFET
VGS=f(Qg):ID=12A, Tch=25°C
IF=f(VSD):80s Pulse test,Tch=25°C
t=f(ID):Vcc=150V, VGS=10V, RG=10
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
RDS
(o
n
)[
]
Tch [
°C]
typ.
max.
Drain-Source On-state Resistance
RDS(on)=f(Tch):ID=6A,VGS=10V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
max.
min.
Gate Threshold Voltage vs. Tch
VGS(th)=f(Tch):VDS=VGS,ID=250
A
VGS(
th)
[V]
Tch [
°C]
0
10
203040
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Qg [nC]
Typical Gate Charge Characteristics
VGS
[V
]
Vcc= 150V
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
C
[
n
F]
VDS [V]
Typical Capacitance
C=f(VDS):VGS=0V,f=1MHz
Crss
Coss
Ciss
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
1.50
1.75
2.00
0.1
1
10
100
IF
[A
]
VSD [V]
Typical Forward Characteristics of Reverse Diode
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
Typical Switching Characteristics vs. ID
td(on)
tr
tf
td(off)
t[n
s]
ID [A]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK3715 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2SK3715-AZ 75 A, 60 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
2TL1-70L TOGGLE SWITCH, DPDT, MOMENTARY, 18A, 28VDC, PANEL MOUNT-THREADED
2W01G 2 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
2W06G 2 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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2SK3586-01 制造商:Fuji Electric 功能描述:MOSFET N TO-220AB
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2SK3587-01MRSC-P 制造商:Fuji Electric 功能描述:
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