參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3663
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： 500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： SSP, SC-70, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
文件大?。?/td> 190K
代理商： 2SK3663
Data Sheet D16529EJ1V0DS
2
2SK3663
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 20 V, VGS = 0 V
1.0
A
Gate Leakage Current
IGSS
VGS =
±12 V, VDS = 0 V
±10
A
Gate Cut-off Voltage
Note
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1.0 mA
0.5
1.0
1.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |VDS = 10 V, ID = 0.30 A
0.25
0.75
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)1
VGS = 4.5 V, ID = 0.30 A
0.38
0.57
RDS(on)2
VGS = 4.0 V, ID = 0.30 A
0.41
0.60
RDS(on)3
VGS = 2.5 V, ID = 0.15 A
0.60
0.88
Input Capacitance
Ciss
VDS = 10 V
28
pF
Output Capacitance
Coss
VGS = 0 V
11
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
f = 1.0 MHz
7
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
VDD = 10 V, ID = 0.30 A
20
ns
Rise Time
tr
VGS = 4.0 V
51
ns
Turn-off Delay Time
td off)
RG = 10
94
ns
Fall Time
tf
87
ns
Body Diode Forward Voltage
VF(S-D)
IF = 0.5 A, VGS = 0 V
0.87
V
Note Pulsed : PW
≤350
s, Duty Cycle≤2%
TEST CIRCUIT SWITCHING TIME
PG.
RG
0
VGS
D.U.T.
RL
VDD
τ = 1 s
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
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PDF描述
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