參數(shù)資料
型號： 2SK3664
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 500 mA, 20 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
封裝： USM, SC-75, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： 2SK3664
Data Sheet D16599EJ2V0DS
3
2SK3664
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
TOTAL POWER DISSIPATION vs.
AMBIENT TEMPERATURE
DRAIN CURRENT vs.
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
P
T-
Total
Powe
r
Dissipation
-
mW
30
240
0
60
90
120
150
200
160
120
80
40
180
210
Mounted on ceramic substrate
of 3.0 cm
2 x 0.64 mm
TA - Ambient Temperature -
°C
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Pulsed
2.5 V
VGS = 4.5 V
4.0 V
VDS - Drain to Source Voltage - V
FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS
GATE CUT-OFF VOLTAGE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
I
D
-
Dr
ain
Cur
rent
-
A
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
VDS = 10 V
Pulsed
TA = 125
°C
75
°C
25
°C
25°C
VGS - Gate to Source Voltage - V
V
G
S
(o
ff)
-
Gate
Cu
t-off
Voltage
-V
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
-50
0
50
100
150
VDS = 10 V
ID = 1.0 mA
Tch - Channel Temperature -
°C
FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.
DRAIN CURRENT
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
DRAIN CURRENT
|y
fs
|-
Forward
T
ransfer
Admittan
ce
-
S
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
TA =
25°C
25
°C
75
°C
125
°C
VDS = 10 V
Pulsed
ID - Drain Current - A
R
DS(
on)
-Drain
to
S
ource
On
-state
Re
sistance
-
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0.01
0.1
1
10
VGS = 4.5 V
Pulsed
TA = 125
°C
75
°C
25
°C
25°C
ID - Drain Current - A
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PDF描述
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