參數(shù)資料
型號(hào)： 2SK3983-01SJ
廠商： FUJI ELECTRIC CO LTD
元件分類： JFETs
英文描述： 2.6 A, 900 V, 6.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： T-PACK(SJ), D2PAK-3
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 234K
代理商： 2SK3983-01SJ
1
Item
Symbol
Ratings
Unit
Remarks
Drain-source voltage
VDS
900
VDSX
900
Continuous drain current
ID
±2.6
Pulsed drain current
ID(puls]
±10.4
Gate-source voltage
VGS
±30
Repetitive or non-repetitive
IAR
2.6
Non-repetitive
Maximum avalanche energy
EAS
349.1
Repetitive
Maximum avalanche energy
EAR
9.0
Maximum drain-source dV/dt
dVDS/dt
40
Peak diode recovery dV/dt
dV/dt
5
Max. power dissipation
PD
90
1.67
Operating and storage
Tch
+150
temperature range
Tstg
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)
Thermalcharacteristics
2SK3983-01L,S,SJ
FUJI POWER MOSFET
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
Features
High speed switching
Low on-resistance
No secondary breadown
Low driving power
Avalanche-proof
Applications
Switching regulators
DC-DC converters
UPS (Uninterruptible Power Supply)
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings
(Tc=25°C unless otherwise specified)
Item
Symbol
Test Conditions
Zero gate voltage drain current
IDSS
VDS=900V VGS=0V
VDS=720V VGS=0V
VGS=±30V
ID=1.3A
VGS=10V
ID=1.3A
VDS=25V
VCC=600V ID=1.3A
VGS=10V
RGS=10
V
A
nA
S
pF
nC
V
s
C
ns
Min.
Typ.
Max.
Units
Thermal resistance
Rth(ch-c)
channel to case
Rth(ch-a)
channel to ambient
1.39
75.0
°C/W
Symbol
BVDSS
VGS(th)
IGSS
RDS(on)
gfs
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
QG
QGS
QGD
VSD
trr
Qrr
Item
Drain-source breakdown voltage
Gate threshold voltage
Gate-source leakage current
Drain-source on-state resistance
Forward transcondutance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on time ton
Turn-off time toff
Total Gate Charge
Gate-Source Charge
Gate-Drain Charge
Diode forward on-voltage
Reverse recovery time
Reverse recovery charge
Test Conditions
ID= 250A
VGS=0V
ID= 250A
VDS=VGS
Tch=25°C
Tch=125°C
VDS=0V
VDS=25V
VGS=0V
f=1MHz
VCC=450V
ID=2.6A
VGS=10V
IF=2.6A VGS=0V Tch=25°C
IF=2.6A VGS=0V
-di/dt=100A/s
Tch=25°C
V
A
V
A
mJ
kV/s
W
°C
900
3.0
5.0
25
250
100
4.8
6.4
1.3
2.6
330
495
44
66
2.5
5.0
10.5
15.8
6.5
9.8
28
42
20
30
13
19.5
4.5
6.5
4.3
6.8
1.00
1.50
1.5
4.0
-55 to +150
Outline Drawings [mm]
Equivalent circuit schematic
Gate(G)
Source(S)
Drain(D)
Super FAP-G Series
200511
=
<
VGS=-30V
Note *1
Note *2
Note *3
VDS 900V
Note *4
Tc=25°C
Ta=25°C
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/
=
<
Note *1 Tch 150°C
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.1A, L=524mH, VCC=100V, RG=50
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.
See to ‘Avalanche Energy’ graph.
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/s, Vcc BVDSS, Tch 150°C
=
<
=
<
=
<
Min.
Typ.
Max.
Units
See to P4
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PDF描述
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2SK3990-01L 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3990-01SJ 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3990-01S 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
2SK3992-AZ 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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參數(shù)描述
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2SK3991-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
2SK3991-ZK-E2-AY 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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