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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | 2SK3984-ZK |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | 18000 mA, 100 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 封裝： | TO-252, MP-3ZK, 3 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/10頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 263K |
| 代理商： | 2SK3984-ZK |
Data Sheet D17323EJ2V0DS
2
2SK3984
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C)
CHARACTERISTICS
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
VDS = 100 V, VGS = 0 V
10
μA
Gate Leakage Current
IGSS
VGS = ±20 V, VDS = 0 V
±10
μA
Gate Cut-off Voltage
VGS(off)
VDS = 10 V, ID = 1 mA
4.5
5.5
6.5
V
Forward Transfer Admittance
Note
| yfs |
VDS = 10 V, ID = 9 A
2.5
5.8
S
Drain to Source On-state Resistance
Note
RDS(on)
VGS = 10 V, ID = 9 A
71
85
m
Ω
Input Capacitance
Ciss
750
pF
Output Capacitance
Coss
120
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
VDS = 10 V
VGS = 0 V
f = 1 MHz
40
pF
Turn-on Delay Time
td(on)
15
ns
Rise Time
tr
6
ns
Turn-off Delay Time
td(off)
17
ns
Fall Time
tf
VDD = 50 V, ID = 9 A
VGS = 10 V
RG = 10
Ω
5
ns
Total Gate Charge
QG
13
nC
Gate to Source Charge
QGS
5.5
nC
Gate to Drain Charge
QGD
VDD = 50 V
VGS = 10 V
ID = 18 A
4
nC
Body Diode Forward Voltage
Note
VF(S-D)
IF = 18 A, VGS = 0 V
0.9
1.5
V
Reverse Recovery Time
trr
IF = 18 A, VGS = 0 V
56
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
di/dt = 100 A/
μs
146
nC
Note Pulsed
TEST CIRCUIT 3 GATE CHARGE
VGS = 20
→ 0 V
PG.
RG = 25
Ω
50
Ω
D.U.T.
L
VDD
TEST CIRCUIT 1 AVALANCHE CAPABILITY
PG.
D.U.T.
RL
VDD
TEST CIRCUIT 2 SWITCHING TIME
RG
PG.
IG = 2 mA
50
Ω
D.U.T.
RL
VDD
ID
VDD
IAS
VDS
BVDSS
Starting Tch
VGS
0
τ = 1 μs
Duty Cycle
≤ 1%
τ
VGS
Wave Form
VDS
Wave Form
VGS
VDS
10%
0
90%
VGS
VDS
ton
toff
td(on)
tr
td(off)
tf
10%
<R>
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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