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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK3990-01L |
| 廠商： | FUJI ELECTRIC CO LTD |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | TO-220AB, T-PACK(L), 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大小： | 298K |
| 代理商： | 2SK3990-01L |
3
2SK3990-01L,S,SJ (600V/3.0A/3.3Ω)
FUJI POWER MOSFET
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK3990-01SJ | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3990-01S | 3 A, 600 V, 3.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 2SK3992-AZ | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK3992-ZK-E1 | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK3992-ZK-E2 | 64000 mA, 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 2SK3991-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET N-CH 25V MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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