參數(shù)資料
型號： 2SK4078-ZK-E1-AY
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 40 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
封裝： LEAD FREE, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 178K
代理商： 2SK4078-ZK-E1-AY
Data Sheet D18885EJ1V0DS
6
2SK4078
PACKAGE DRAWING (Unit: mm)
TO-252 (MP-3ZK)
6.5
±0.2
2.3
±0.1
0.5
±0.1
0.76
±0.12
0 to 0.25
0.5
±0.1
1.0
No Plating
5.1 TYP.
1.0
TYP.
6.1
±
0.2
0.51
MIN.
4.0
MIN
.
0.8
10.4
MAX.
(9.8
TYP.)
4.3 MIN.
1
4
23
1.14 MAX.
2.3
1. Gate
2. Drain
3. Source
4. Fin (Drain)
EQUIVALENT CIRCUIT
Source
Body
Diode
Gate
Drain
Remark Strong electric field, when exposed to this device, can cause destruction of the gate oxide and ultimately
degrade the device operation. Steps must be taken to stop generation of static electricity as much as
possible, and quickly dissipate it once, when it has occurred.
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PDF描述
2SK4080(1)-S27-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA
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2SK4080-ZK-E2-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
2SK4080-ZK-E1-AY 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA
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參數(shù)描述
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2SK4080-ZK-E1-AY 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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2SK4081 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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