參數(shù)資料
型號： 2SK4078-ZK-E2-AY
廠商： NEC Corp.
英文描述： SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
中文描述： 開關(guān)N溝道功率場效應(yīng)晶體管
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 182K
代理商： 2SK4078-ZK-E2-AY
Data Sheet D18885EJ1V0DS
5
2SK4078
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE
D
Ω
0
4
8
12
16
20
-100
-50
0
50
100
150
200
10 V, 25 A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 13 A
Pulsed
T
ch
- Channel Temperature -
°
C
SWITCHING CHARACTERISTICS
i
,
o
,
r
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
V
GS
= 0 V
f = 1 MHz
C
iss
C
oss
C
rss
V
DS
- Drain to Source Voltage - V
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
d
,
r
,
d
,
f
1
10
100
0.1
1
10
100
t
r
t
d(off)
t
f
V
DD
= 20 V
V
GS
= 10 V
R
G
= 0
Ω
t
d(on)
I
D
- Drain Current - A
SOURCE TO DRAIN DIODE
FORWARD VOLTAGE
D
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
10
20
30
40
50
0
3
6
9
12
V
DS
V
GS
I
D
= 50 A
V
DD
= 32 V
20 V
8 V
Q
G
- Gate Charge - nC
G
REVERSE RECOVERY TIME vs.
DIODE FORWARD CURRENT
F
0.01
0.1
1
10
100
1000
0
0.5
1
1.5
V
GS
= 10 V
Pulsed
0 V
V
F(S-D)
- Source to Drain Voltage - V
r
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μ
s
V
GS
= 0 V
I
F
- Diode Forward Current - A
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