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參數(shù)資料
| 型號： | 2SK4080(1)-S27-AY |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 封裝： | LEAD FREE, MP-3-B, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 190K |
| 代理商： | 2SK4080(1)-S27-AY |
Data Sheet D18214EJ2V0DS
5
2SK4080
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.
CHANNEL TEMPERATURE
CAPACITANCE vs. DRAIN TO
SOURCE VOLTAGE
R
DS
(o
n)
-Dr
ai
nto
Sourc
eOn-st
ate
Re
sist
ance
-m
Ω
0
5
10
15
20
25
-75
-25
25
75
125
175
10 V
VGS = 4.5 V
ID = 24 A
Pulsed
Tch - Channel Temperature - °C
C
is
s,
C
os
s,
C
rs
s-
Capacitanc
e
-pF
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
VGS = 0 V
f = 1 MHz
C iss
C oss
C rss
VDS - Drain to Source Voltage - V
SWITCHING CHARACTERISTICS
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS
t
d(on)
,t
r,
t
d(of
f),
t
f-
S
w
itching
Time
-
ns
1
10
100
0.1
1
10
100
tr
td(off)
td(on)
tf
VDD = 15 V
VGS = 12 V
RG = 3
Ω
ID - Drain Current - A
V
DS
-Dr
ai
nto
Source
V
ol
tage
-
V
0
5
10
15
20
25
30
0
102030
40
0
2
4
6
8
10
12
VDS
ID = 30 A
VGS
VDD = 24 V
15 V
6 V
QG - Gate Chage - nC
V
GS
-
Gate
to
Source
V
oltage
-
V
SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE
REVWESE RECOVERY TIME vs.
DRAIN CURRENT
I
F-
diode
Forward
Current
-
A
0.01
0.1
1
10
100
1000
00.511.5
VGS = 10 V
0 V
Pulsed
4.5 V
VF(S-D) - Source to Drain Voltage - V
t
rr
-
Rev
erse
R
ecovery
Time
-n
s
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
di/dt = 100 A/
μs
VGS = 0 V
ID - Drain Current - A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2SK4080-ZK-E1-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA |
| 2SK4080-S15-AY | 48000 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-251AA |
| 2SK4118LS | 18 A, 400 V, 0.34 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK4118LS | 18 A, 400 V, 0.34 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 2SK426-LX27 | 30 mA, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 2SK4080-ZK-E1-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK4080-ZK-E2-AY | 功能描述:MOSFET 30V N-CH MP-3ZK/TO-252 RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| 2SK4081 | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4081-S15-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
| 2SK4081-S27-AY | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET |
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