型號: | 2SK711VTE85L |
元件分類: | 小信號晶體管 |
英文描述: | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236 |
文件頁數(shù): | 3/3頁 |
文件大?。?/td> | 88K |
代理商: | 2SK711VTE85L |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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2SK711-GR | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236 |
2SK711-V | N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236 |
2SK719 | 5 A, 900 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK720A | 20 A, 250 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
2SK738-Z-T2 | 2 A, 30 V, 0.17 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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2SK715 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:AM Tuner RF Amp Applications |
2SK715_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:AM Tuner, RF Amplifier Applications |
2SK715T | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK |
2SK715U | 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標準包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW |
2SK715U-AC | 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel |