參數(shù)資料
型號: 2SK715
廠商: Sanyo Electric Co.,Ltd.
英文描述: AM Tuner RF Amp Applications
中文描述: 上午調(diào)諧器射頻放大器應(yīng)用
文件頁數(shù): 2/3頁
文件大?。?/td> 77K
代理商: 2SK715
相關(guān)PDF資料
PDF描述
2SK736 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK737 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 12A I(D) | SOT-186
2SK738 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
2SK738Z TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-252
2SK739 Low-Power, Single-/Dual-Level Battery Monitors with Hysteresis and Integrated µP Reset
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
2SK715_12 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:AM Tuner, RF Amplifier Applications
2SK715T 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 15V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | SPAK
2SK715U 功能描述:MOSFET J-FET N-CH 50V 15MA SPA RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> JFET(結(jié)點場效應(yīng) 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:8,000 系列:- 電流 - 漏極(Idss) @ Vds (Vgs=0):1.2mA @ 10V 漏極至源極電壓(Vdss):30V 漏極電流 (Id) - 最大:10mA FET 型:N 溝道 電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):- 電壓 - 切斷 (VGS 關(guān))@ Id:180mV @ 1µA 輸入電容 (Ciss) @ Vds:4pF @ 10V 電阻 - RDS(開):200 歐姆 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 封裝/外殼:3-XFDFN 供應(yīng)商設(shè)備封裝:3-ECSP1006 功率 - 最大:100mW
2SK715U-AC 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel
2SK715V 功能描述:JFET NCH J-FET RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 晶體管極性:N-Channel 漏極電流(Vgs=0 時的 Idss):50 mA 漏源電壓 VDS:15 V 閘/源擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流:50 mA 配置: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SC-59 封裝:Reel