參數(shù)資料
型號： 2STF2280
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 2 A, 80 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-4
文件頁數(shù)： 2/7頁
文件大小： 98K
代理商： 2STF2280
Electrical ratings
2STF2280
2/7
Doc ID 16984 Rev 1
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VCBO
Collector-base voltage (IE = 0)
-80
V
VCEO
Collector-emitter voltage (IB = 0)
-80
V
VEBO
Emitter-base voltage (IC = 0)
-5
V
IC
Collector current
2
A
ICM
Collector peak current (tP < 5 ms)
4
A
IB
Base current
0.5
A
IBM
Base peak current (tP < 5 ms)
1
A
PTOT
Total dissipation at Tamb = 25°C
1.4
W
TJ
Operating junction temperature
-65 to 150
°C
TSTG
Storage temperature
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
RthJA
(1)
Thermal resistance junction-ambient
max
89
°C/W
1.
Device mounted on a PCB area of 1 cm.
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PDF描述
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參數(shù)描述
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2STF2360 功能描述:兩極晶體管 - BJT Lo Vltg fast switch pnp Pwr transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
2STF2550 功能描述:兩極晶體管 - BJT LV high performance PNP power transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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2STL1360_09 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:Low voltage fast-switching NPN power transistors
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