參數(shù)資料
型號(hào)： 2STF2550
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： 5 A, 50 V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 3/8頁(yè)
文件大小： 189K
代理商： 2STF2550
2STF2550 - 2STN2550
Electrical characteristics
3/8
2
Electrical characteristics
(Tcase = 25 °C unless otherwise specified)
Table 4.
Electrical characteristics
Symbol
Parameter
Test conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
ICBO
Collector cut-off current
(IE = 0)
VCB = -50 V
-0.1
μA
IEBO
Emitter cut-off current
(IC = 0)
VEB = -4 V
-0.1
μA
V(BR)CBO
Collector-base
breakdown voltage
(IE = 0)
IC = -100 μA-50
V
V(BR)CEO
(1)
1.
Pulsed duration = 300
μs, duty cycle ≤1.5%
Collector-emitter
breakdown voltage
(IB = 0)
IC = -10 mA
-50
V
V(BR)EBO
Emitter-base breakdown
voltage (IC = 0)
IE = -100 μA-5
V
hFE
(1)
DC current gain
IC = -0.5 A
VCE = -2 V
IC = -2 A
VCE = -2 V
IC = -3 A
VCE = -2 V
IC = -5 A
VCE = -5 V
110
80
350
70
350
VCE(sat)
(1)
Collector-emitter
saturation voltage
IC = -3 A
IB = -300 mA
-0.39
-0.55
V
VBE(sat)
(1)
Base-emitter saturation
voltage
IC = -3 A
IB = -300 mA
-1
-1.2
V
CCBO
Collector-base
capacitance (IE = 0)
VCB = -10 V, f = 1 MHz
30
pF
ton
toff
Resistive load
Turn-on time
Turn-off time
IC = -1.5 A
VCC = -10 V
IB1 = -IB2 = -150 mA
80
3 00
ns
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