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參數(shù)資料
| 型號： | 3LN01N |
| 廠商： | Sanyo Electric Co.,Ltd. |
| 英文描述： | N-Channel Silicon MOSFET(Ultrahigh-Speed Switching Applications)(超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的N溝道硅MOSFET) |
| 中文描述： | N溝道MOSFET的硅（超高速開關(guān)應(yīng)用）（超高速轉(zhuǎn)換應(yīng)用的?溝道硅MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 27K |
| 代理商： | 3LN01N |
3LN01N
No.6544-2/4
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Ratings
typ
Parameter
Symbol
Conditions
min
max
Unit
RDS(on)1
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=80mA, VGS=4V
ID=40mA, VGS=2.5V
ID=10mA, VGS=1.5V
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
VDS=10V, f=1MHz
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
See specified Test Circuit
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
VDS=10V, VGS=10V, ID=150mA
IS=150mA, VGS=0
2.9
3.7
6.4
7.0
5.9
2.3
19
65
155
120
1.58
0.26
0.31
0.87
3.7
5.2
12.8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Static Drain-to-Sourse On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ”Miller” Charge
Diode Forward Voltage
1.2
Switching Time Test Circuit
PW=10
μ
s
D.C.
≤
1%
4V
0V
VIN
P.G
50
G
S
D
ID=80mA
RL=187.5
VOUT
VDD=15V
3LN01N
VIN
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- ID
ID -- VGS
D
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID -- VDS
D
IT00029
IT00030
Drain Current, ID -- A
S
O
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
S
O
IT00031
IT00032
0
0
0.02
0.2
0.06
0.04
0.08
0.4
0.10
0.12
0.14
0.16
0.6
0.8
1.0
VGS=1.5V
20V
25V
4.0V
3.5V
30
6V
0
0
1
2
1
3
4
2
5
6
3
4
5
6
7
8
9
10
7
8
9
10
Ta=25
°
C
0.01
0.1
2
3
5
7
2
3
10
7
5
3
2
1.0
5
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0.15
0.10
0.05
0.30
0.25
0.20
2.5
3.0
VDS=10V
T=2
°
C
5
°
C
5
°
C
25
°
C
--25
°
C
Ta=75
°
C
VGS=4V
80mA
ID=40mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 3LN01SP | 3LN01SP |
| 3LN01S | Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 3LN02SP | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 3LN03M | N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| 3LN03SS | General-Purpose Switching Device Applications |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 3LN01S | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:Ultrahigh-Speed Switching Applications |
| 3LN01S_06 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01S_12 | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| 3LN01S-K-TL-E | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| 3LN01SP | 制造商:SANYO 制造商全稱:Sanyo Semicon Device 功能描述:3LN01SP |
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