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參數(shù)資料
| 型號： | 4AK20 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 中文描述： | 硅N溝道功率MOS場效應管陣列 |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 36K |
| 代理商： | 4AK20 |
4AK20
2
Outline
SP-10
2 G
1 S
4
G
6
G
8
G
3
D
5
D
7
D
9
D
S 10
1, 10.
Source
2, 4, 6, 8. Gate
3, 5, 7, 9. Drain
1
2
3
4 5
6
7 8
9
10
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) (1 Unit)
Item
Symbol
Rating
Unit
Drain to source voltage
V
DSS
100
V
Gate to source voltage
V
GSS
±20
V
Drain current
I
D
5A
Drain peak current
I
D(pulse)*
1
20
A
Body to drain diode reverse drain current
I
DR
5A
Channel dissipation
Pch (Tc = 25
°C)*2 28
W
Channel dissipation
Pch*
2
4W
Channel temperature
Tch
150
°C
Storage temperature
Tstg
–55 to +150
°C
Notes: 1. PW
≤ 10 s, duty cycle ≤ 1%
2. 4 devices operation
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 4AK21 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK25 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK26 | Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 4AK21 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK22 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK23 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK25 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
| 4AK26 | 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:Silicon N-Channel Power MOS FET Array |
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